(invited) MOS Interface Defect Control in Ge/IIIV Gate Stacks
(invited) MOS Interface Defect Control in Ge/IIIV Gate Stacks
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（特邀）Ge/IIIV栅极堆栈中的MOS接口缺陷控制
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Takenaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takagi;M. Ke;C.-Y. Chang;C. Yokoyama;M. Yokoyama;T. Gotow;K. Nishi;and M. Takenaka
