Bistable operation in semiconductor lasers with inhomogeneous excitation
Bistable operation in semiconductor lasers with inhomogeneous excitation
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非均匀激励半导体激光器的双稳态运行
DOI：
10.1049/el:19810117
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发表时间：
1981
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Iwane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Kawaguchi;G. Iwane
本文报道了具有周期性激发条纹结构的InP/InGaAsP/InP双稳态激光器的双稳态运转。在最大值阈值电流的约10%的电流范围内观察到双稳态。该范围强烈地依赖于条带的几何形状和热沉温度，并且它们是可控的。
Bistable operation in InP/InGaAsP/InP DH lasers with a periodic excitation stripe geometry is reported. Bistability is observed within a current range of about 10% of the threshold current for maximum value. The range strongly depends on the stripe geometry and heat sink temperature, and they are controllable.