Arイオン注入法を用いた圧縮歪み/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製

Arイオン注入法を用いた圧縮歪み/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製
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Ar离子注入法制备压缩应变/松弛Si1-xCx异质结

DOI:
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发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
宇佐美 徳隆
宇佐美 徳隆
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
有澤 洋;星 裕介;藤原 幸亮;山中 淳二;有元 圭介;中川 清和;澤野 憲太郎;宇佐美 徳隆

文献摘要

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