歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンＦＥＴの スイッチング機構における構造乱れの影響
歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンＦＥＴの スイッチング機構における構造乱れの影響
复制标题
结构扰动对应变诱导赝磁场石墨烯 FET 开关机制的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
相馬 聡文
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
堤 賢一郎，笹岡 健二，小川 真人;相馬 聡文
