HVPE growth of free-standing high-quality GaN wafers using novel buffer layers for the applications to high-brightness LEDs
HVPE growth of free-standing high-quality GaN wafers using novel buffer layers for the applications to high-brightness LEDs
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使用新型缓冲层进行独立式高质量 GaN 晶圆的 HVPE 生长，适用于高亮度 LED
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Goto and T. Yao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Goto;R. Seto;A. Sato;T. Sato;S. Okano;T. Goto and T. Yao
