Formation of spontaneous nano-size via-holes to grow conductive AlN buffer layer on Si substrate for vertical AlGaN high power FET
Formation of spontaneous nano-size via-holes to grow conductive AlN buffer layer on Si substrate for vertical AlGaN high power FET
复制标题
自发纳米尺寸通孔的形成，在硅衬底上生长导电 AlN 缓冲层，用于垂直 AlGaN 高功率 FET
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Noriko Kurose and Yoshinobu Aoyagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
今重智貴;菊地晴久;大島吉輝;Noriko Kurose and Yoshinobu Aoyagi
