Activation of High-temperature-implanted Phosphorus Atoms in 4H-SiC by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing
Activation of High-temperature-implanted Phosphorus Atoms in 4H-SiC by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing
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大气压热等离子体喷射退火激活 4H-SiC 中高温注入的磷原子
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Higashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Hanafusa;S. Higashi
