Study of Strain Introduction in the Channel of MOSFET with T ransparent Dummy Gate and Si_3N_4 Stressor
Study of Strain Introduction in the Channel of MOSFET with T ransparent Dummy Gate and Si_3N_4 Stressor
复制标题
透明伪栅和Si_3N_4应力源MOSFET沟道应变引入研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daisuke Kosemura;Atsushi Ogura;他
