New 1200 V MOSFET structure on SOI with SIPOS shielding layer

New 1200 V MOSFET structure on SOI with SIPOS shielding layer
复制标题

DOI：
10.1109/ispsd.1998.702621
复制
发表时间：
1998-06
期刊：
Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'98 (IEEE Cat. No.98CH36212)
影响因子：
--
通讯作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;K. Hirayama;A. Nakagawa
H. Funaki;Y. Yamaguchi;K. Hirayama;A. Nakagawa
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;K. Hirayama;A. Nakagawa

文献摘要

被引文献

相似文献

在本文中，我们首次通过实验获得了SOI上的1200 V横向二极管和MOSFET。 SOI结构的特点是在硅层和掩埋氧化物之间插入SIPOS层。研究发现，新型 SOI 二极管的击穿电压是由传统的体 p-n 结理论决定的，而不是由 resurf（减小表面场）原理决定的。
In this paper, we have experimentally obtained, for the first time, 1200 V lateral diodes and MOSFETs on SOI. The SOI structure is characterized by a SIPOS layer inserted between the silicon layer and the buried oxide. It was found that the new SOI diode breakdown voltage is determined by the conventional bulk p-n junction theory and not by the resurf (reduced surface field) principle.