Controlled Electron Leakage in Electron Blocking Layer Free InGaN/GaN Nanowire Light-Emitting Diodes
Controlled Electron Leakage in Electron Blocking Layer Free InGaN/GaN Nanowire Light-Emitting Diodes
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无电子阻挡层 InGaN/GaN 纳米线发光二极管中的受控电子泄漏
DOI：
10.2298/fuee2103393v
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. T. Velpula, B. Jain
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. T. Velpula, B. Jain
