Influence of the heating ramp on the heteroepitaxial growth of SiC on Si
Influence of the heating ramp on the heteroepitaxial growth of SiC on Si
复制标题
升温速率对 SiC 在 Si 上异质外延生长的影响
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Pezoldt
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Cimalla;T. Stauden;G. Eichhorn;J. Pezoldt
