Ge 蒸着によってSi-SiO2 境界に形成されるナノギャップのSTM 観察II
Ge 蒸着によってSi-SiO2 境界に形成されるナノギャップのSTM 観察II
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Ge沉积在Si-SiO2边界形成纳米间隙的STM观察II
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
黒川 修
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Fujita;M. Haruta;A. Ichinose;T. Maeda;S. Horii;黒川 修
