FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ素子の閾値電圧特性の測定ならびに読み出し方式検討
FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ素子の閾値電圧特性の測定ならびに読み出し方式検討
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使用 FiCC 测量 CMOS 兼容非易失性存储元件的阈值电压特性并研究读出方法
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
越智 裕之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田中 一平;宮川 尚之;木村 知也;今川 隆司;越智 裕之
