Depth profile study using x‐ray photoemission spectroscopy of Mn‐doped GaN prepared by thermal diffusion of Mn
Depth profile study using x‐ray photoemission spectroscopy of Mn‐doped GaN prepared by thermal diffusion of Mn
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利用 Mn 热扩散制备的 Mn 掺杂 GaN 的 X 射线光电子能谱研究深度剖面
DOI：
10.1063/1.2730341
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Keisuke L. I. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. I. Hwang;Y. Osafune;M. Kobayashi;K. Ebata;Y. Ooki;Y. Ishida;A. Fujimori;A. Tanaka;Y. Takeda;T. Okane;Y. Saitoh;Keisuke L. I. Kobayashi
我们对低温热扩散法制备的Mn掺杂GaN进行了原位深度剖面光电子能谱研究。从芯能级光电子能谱揭示，Mn原子作为Mn 2+离子掺杂在GaN衬底的深区域中。在磁化测量中，在使用p型GaN衬底的样品中检测到弱磁滞，而使用n型GaN衬底的样品仅显示顺磁性。
We have performed an in‐situ depth profile photoemission study of Mn‐doped GaN prepared by a low temperature thermal diffusion method. It was revealed from core‐level photoemission spectra that Mn atoms are doped as Mn2+ ions in deep regions of the GaN substrates. In magnetization measurements, weak hysteresis was detected in samples using p‐type GaN substrates while samples using n‐type GaN substrates showed only paramagnetism.