III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析

III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
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DG MOSFET 延迟时间产生机制的 III-V 分析

DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
電子情報通信学会技術研究報告
影响因子:
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通讯作者:
藤代博記
藤代博記
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
矢島悠貴;大濱諒子;藤川紗千恵;藤代博記

文献摘要

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