Au-catalyst induced low temperature (～250℃) layer exchange crystallization for SiGe on insulator
Au-catalyst induced low temperature (～250℃) layer exchange crystallization for SiGe on insulator
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Au催化剂诱导绝缘体上SiGe的低温（~250℃）层交换结晶
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Sadoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.-H.Park;M.Kurosawa;N.Kawabata;M.Miyao;T.Sadoh
