High Tg triphenylamine-based starburst hole-transporting material for organic light-emitting devices
High Tg triphenylamine-based starburst hole-transporting material for organic light-emitting devices
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DOI：
10.1021/cm0712624
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发表时间：
2007-11-27
影响因子：
8.6
通讯作者：
Lee, Shuit-Tong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tong, Qing-Xiao;Lai, Shiu-Lun;Lee, Shuit-Tong
本文报道了一种新的星型发光分子4，4 '，4”-三[（2，3，4，5-四苯基）苯基]苯胺（TTPPPA）的合成及其作为空穴传输材料在有机电致发光器件（OLED）中的应用。尽管TTPPPA具有与1，4-双（1-萘基苯基氨基）联苯（NPB）几乎相同的电离电势，但是ITO/TTPPPA/Alq（3）/LiF/Al的基于TTPPPA的器件产生比标准ITO/NPB/Alq（3）/LiF/Al器件（3.0cd/A和2.9lm/W）好得多的5.3cd/A和4.3lm/W的效率。显着的性能增强归因于一个更好的平衡的空穴和电子注入的TTPPPA为基础的设备。此外，TTPPPA具有比NPB（T-g，98 ° C）高得多的玻璃化转变温度（T-g，202 ° C），这表明TTPPPA可以是NPB的替代材料，特别是对于OLED和其他有机电子器件的高温应用。
This paper reports the synthesis of a new starburst molecule, 4,4',4"-tris[(2,3,4,5-tetraphenyl)phenyl]phenylamine (TTPPPA) and its application as a hole-transporting material in organic light-emitting devices (OLEDs). although TTPPPA has almost the same ionization potential as 1,4-bis(l-naphthylphenylamino)biphenyl (NPB), the TTPPPA-based device of ITO/TTPPPA/Alq(3)/LiF/Al yields much better efficiency of 5.3 cd/A and 4.3 lm/W than the standard ITO/NPB/Alq(3)/LiF/Al device (3.0 cd/A and 2.9 lm/W). The remarkable performance enhancement is attributed to a better balance of hole and electron injection in the TTPPPA-based device. Further, TTPPPA has a much higher glass-transition temperature (T-g, 202 degrees C) than NPB (T-g, 98 degrees C), suggesting that TTPPPA can be an alternative material to NPB especially for high-temperature applications of OLEDs and other organic electronic devices.