MBE法を用いた精密組成制御によるホイスラー合金/IV族半導体構造の高品質形成
MBE法を用いた精密組成制御によるホイスラー合金/IV族半導体構造の高品質形成
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使用 MBE 方法通过精确成分控制高质量形成 Heusler 合金/IV 族半导体结构
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
ら
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本健士;ら
