中辻広志, 鎌倉良成, 谷口研二: "ひずみSi-pMOSFETにおける反転層移動度増大メカニズムの理論的検討"(発表予定).
中辻広志, 鎌倉良成, 谷口研二: "ひずみSi-pMOSFETにおける反転層移動度増大メカニズムの理論的検討"(発表予定).
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Hiroshi Nakatsuji、Yoshinari Kamakura、Kenji Taniguchi：“应变 Si-pMOSFET 中反型层迁移率增加机制的理论研究”（待提交）。
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