First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400°C thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology
First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400°C thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology
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首次演示无场 SOT-MRAM，采用倾斜 SOT 结构及其先进的图案化/SOT 通道技术，具有 0.35 ns 写入速度和 400°C 耐热性下 70° 的热稳定性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ha
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Honjo;A. Nguyen Thi Van;T. Watanabe;T. Nasuno;C. Zhang;T. Tanigawa;S. Miura;H. Inoue;M. Niwa;T. Yoshizuka;Y. Noguchi;M. Yasuhira;A. Tamakoshi;M. Natsui;Y. Ma;H. Koike;Y. Takahashi;K. Furuya;H. Shen;S. Fukami;H. Sato;S. Ikeda;T. Ha
