Low threshold InGaAsN/GaAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy using Sb surfactant
Low threshold InGaAsN/GaAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy using Sb surfactant
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使用Sb表面活性剂通过分子束外延生长低阈值InGaAsN/GaAs单量子阱激光器
DOI：
10.1049/el:19990746
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发表时间：
1999
影响因子：
1.1
通讯作者：
Wen Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiaodong Yang;M. Jurkovic;J. Héroux;Wen Wang
使用 Sb 作为表面活性剂，通过固源分子束外延 (MBE) 生长长波长 InGaAsN/GaAs 单量子阱 (SQW) 激光二极管。据报道，在室温下脉冲操作下，波长为 1.275 µm 的大面积激光二极管 (LD) 的阈值电流密度为 1.47 kA/cm2，量子效率为 0.11 W/A，创下历史新低。
Long wavelength InGaAsN/GaAs single quantum well (SQW) laser diodes have been grown by solid source molecular beam epitaxy (MBE) using Sb as a surfactant. A record low threshold current density of 1.47 kA/cm2 and a quantum efficiency of 0.11 W/A are reported for broad area laser diodes (LDs) operating at a wavelength of 1.275 µm under pulsed operation at room temperature.
DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y