Theoretical Analysis of Enhancement-Mode AIGaN/GaN HEMTs
Theoretical Analysis of Enhancement-Mode AIGaN/GaN HEMTs
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增强型 AIGaN/GaN HEMT 的理论分析
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Nishida et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Inushima;M.Higashiwaki;T.Matsui;T.Takenobu;M.Motokawa;T.Inushima et al.;伊藤修一;葛原正明;M.Nagamori et al.;M.Kuzuhara;伊藤修一 他6名;高桑陽一;齋藤弘志;T.Nishida;H.Saito;Y.Takakuwa et al.;H.Saito et al.;T.Nishida et al.
