Study of different type of dislocations in GaN thin films
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.04.077
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发表时间：
2004-08
影响因子：
1.8
通讯作者：
L. P. Yu;Jing Shi;Y. Wang;H. Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. P. Yu;Jing Shi;Y. Wang;H. Zhang
