High-Mobility P-Channel Wide Bandgap Transistors Based on Hydrogen-Terminated Diamond and Hexagonal Boron Nitride
High-Mobility P-Channel Wide Bandgap Transistors Based on Hydrogen-Terminated Diamond and Hexagonal Boron Nitride
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基于氢封端金刚石和六方氮化硼的高迁移率 P 沟道宽带隙晶体管
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山口 尚秀
中科院分区：
文献类型：
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作者：
笹間 陽介;蔭浦 泰資;井村 将隆;渡邊 賢司;谷口 尚;内橋 隆;山口 尚秀;山口 尚秀
