Imprinted silicon-based nanophotonics
Imprinted silicon-based nanophotonics
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DOI：
10.1364/oe.15.001261
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发表时间：
2007-02-05
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Kristensen, Anders
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Borel, Peter I.;Bilenberg, Brian;Kristensen, Anders
我们展示和光学特性的绝缘体上硅基纳米光子器件制造的纳米压印光刻。在我们的演示中，我们已经实现了普通和拓扑优化的光子晶体波导结构。拓扑优化的结构需要在子30纳米尺度上的横向图案定义与类似于300纳米量级的深垂直硅蚀刻相结合。纳米压印方法提供了一种具有成本效益的并行制造工艺，具有最先进的复制保真度，可与直接电子束写入相媲美。(c)2007年，美国光学学会。
We demonstrate and optically characterize silicon-on-insulator based nanophotonic devices fabricated by nanoimprint lithography. In our demonstration, we have realized ordinary and topology-optimized photonic crystal waveguide structures. The topology-optimized structures require lateral pattern definition on a sub 30-nm scale in combination with a deep vertical silicon etch of the order of similar to 300 nm. The nanoimprint method offers a cost-efficient parallel fabrication process with state-of-the-art replication fidelity, comparable to direct electron beam writing. (c) 2007 Optical Society of America.