Comparative cathodoluminescence characterizati, on on the structural fluctuation of ultrathin InN wells/GaN matrix MQWs grown on MOVPE/HVPE-GaN templates
Comparative cathodoluminescence characterizati, on on the structural fluctuation of ultrathin InN wells/GaN matrix MQWs grown on MOVPE/HVPE-GaN templates
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MOVPE/HVPE-GaN 模板上生长的超薄 InN 阱/GaN 矩阵 MQW 结构波动的比较阴极发光特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. S. Hwang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
太子敏則;伊勢秀彰;大澤隆亨;徳本有紀;米永一郎;E. S. Hwang
