Reducing the electronic band gap of BN monolayer by coexistence of P(As)-doping and external electric field
Reducing the electronic band gap of BN monolayer by coexistence of P(As)-doping and external electric field
复制标题
P(As)掺杂与外电场共存降低BN单层电子带隙
DOI：
10.1016/j.spmi.2019.106357
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发表时间：
2020
影响因子：
3.1
通讯作者：
["D. M. Hoat
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
["D. M. Hoat
影响因子：
2.4
作者：
Zibouche, Nourdine;Kuc, Agnieszka;Heine, Thomas
通讯作者：
Heine, Thomas