サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETの キャラクタリゼーション
サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETの キャラクタリゼーション
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使用亚带隙光表征伽马辐照的 4H-SiC JFET
DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
田中 保宣
中科院分区:
文献类型:
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作者:
武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武; 黒木 伸一郎 ; 田中 保宣