Effect of the nucleation layer deposition temperature on the nature of defects in GSMBE GaN films
Effect of the nucleation layer deposition temperature on the nature of defects in GSMBE GaN films
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成核层沉积温度对 GSMBE GaN 薄膜缺陷性质的影响
DOI：
10.1016/s0022-0248(98)01367-0
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发表时间：
1999
影响因子：
1.8
通讯作者：
F. Semond
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Vennégués;N. Grandjean;J. Massies;F. Semond
