耐高温中性子半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製
耐高温中性子半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製
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用于高温中子半导体探测器的新型 BGaN 器件的制造
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中野貴之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中村大輔;西川瞬;小関凌也;林幸佑;川崎晟也;權熊;若林源一郎;本田善央;天野浩;井上翼;青木徹;中野貴之
