Power Gain Inprovement of Single Electron Transistor

Power Gain Inprovement of Single Electron Transistor
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单电子晶体管功率增益的改进

DOI:
--
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发表时间:
2014
影响因子:
1.5
通讯作者:
K. Honjo
K. Honjo
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
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作者:
D.H.Manh;K. Honjo

文献摘要

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