Chemical potential jump between the hole-doped and electron-doped sides ofambip
Chemical potential jump between the hole-doped and electron-doped sides ofambip
复制标题
Ambip 的空穴掺杂侧和电子掺杂侧之间的化学势跳跃
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Y. Ando
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Ikeda;M. Takizawa;T. Yoshida;A.Fujimori;K. Segawa;and Y. Ando
