Structural quality of pseudomorphic Zn0.5Cd0.5Se layers grown on an InGaAs or InP buffer layer on (0 0 1) InP substrates
Structural quality of pseudomorphic Zn0.5Cd0.5Se layers grown on an InGaAs or InP buffer layer on (0 0 1) InP substrates
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在 (0 0 1) InP 衬底上的 InGaAs 或 InP 缓冲层上生长的假晶 Zn0.5Cd0.5Se 层的结构质量
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Tamargo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Snoeks;L. Zhao;B. Yang;A. Cavus;L. Zeng;M. Tamargo
