Optical second-order susceptibility of GaAs/AlxGa1-xAs asymmetric coupled-quantum-well structures in the exciton region.
Optical second-order susceptibility of GaAs/AlxGa1-xAs asymmetric coupled-quantum-well structures in the exciton region.
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DOI：
10.1103/physrevb.43.12477
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发表时间：
1991-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xie;Chen;Cui;Pan;Deng;Zhou;Lu;Huang;Feng;Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xie;Chen;Cui;Pan;Deng;Zhou;Lu;Huang;Feng;Yang
测量de la色散deχ(2)DES结构表示量子对不对称耦合(ACQW)de GaAs/Al_xGa_1−_x As Dans La区域DES共振激发温度环境。LE SPECTRE deχ(2)所有结构Piques包括LE过渡Qui sont autorisee par la Regle de Selecting dans un puits Quantique symetrique(SQW)ainsi que la过渡qui est interdite dans un SQW
Mesure de la dispersion de χ (2) des structures de puits quantiques couples asymetriques (ACQW) de GaAs/Al x Ga 1−x As dans la region des resonances excitoniques de la temperature ambiante. Le spectre de χ (2) possede de fortes structures piquees incluant les transitions qui sont autorisees par la regle de selection dans un puits quantique symetrique (SQW) ainsi que la transition qui est interdite dans un SQW