Takeshi AKATSUKA: "Heavily Carbon-Doped P-Type InGaAs Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 発表予定.
Takeshi AKATSUKA: "Heavily Carbon-Doped P-Type InGaAs Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy" Japanese Journal of Applied Physics. 発表予定.
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Takeshi AKATSUKA：“通过金属有机分子束外延生长的重碳掺杂 P 型 InGaAs”，《日本应用物理学杂志》预定出版。
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