Mobility enhancement of InGaZnOx thin-film transistor by hetero-channel with a different composition
Mobility enhancement of InGaZnOx thin-film transistor by hetero-channel with a different composition
复制标题
不同成分异质沟道增强InGaZnOx薄膜晶体管的迁移率
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mamoru Furuta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Fujisawa;T. Takahashi;S. Kawamura;S. Fujikawa;and H.I. Fujishiro;Mamoru Furuta
