A 4 GHz fourth-order SiGe HBT band pass /spl Delta//spl Sigma/ modulator
A 4 GHz fourth-order SiGe HBT band pass /spl Delta//spl Sigma/ modulator
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4 GHz 四阶 SiGe HBT 带通 /spl Delta//spl Sigma/ 调制器
DOI：
10.1109/vlsic.1998.688074
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Snelgrove
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Weinan Gao;J. A. Cherry;W. Snelgrove
给出了四阶带通（BP）/splDelta//splSigma/调制器（/splDelta//splSigma/M）的测试结果。0.5 /spl mu/m SiGe HBT设计使用具有Q增强功能的有源LC谐振器和归零锁存器来驱动反馈DAC。当时钟频率为4 GHz时，采用5 V单电源供电时，封装电路的功耗为350 mW。测量结果表明，最大SNR为53 dB，SFDR为69 dB，动态范围为62 dB，均在4 MHz带宽内。
Test results for a fourth-order band pass (BP) /spl Delta//spl Sigma/ modulator (/spl Delta//spl Sigma/M) are presented. The 0.5 /spl mu/m SiGe HBT design uses active LC resonators with Q enhancement and return-to-zero latches to drive the feedback DACs. The packaged circuit consumes 350 mW from a single 5 V supply when clocking at 4 GHz. Measured results indicate a maximum SNR of 53 dB, SFDR of 69 dB, and a dynamic range of 62 dB, all in a 4 MHz bandwidth.