Optimization of Praseodymium (Pr) Implanted GaN for Single-Photon Emission
Optimization of Praseodymium (Pr) Implanted GaN for Single-Photon Emission
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用于单光子发射的镨 (Pr) 注入 GaN 的优化
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takeshi Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shin-ichiro Sato;Hiroshi Okada;Manato Deki;Akihiro Wakahara;Takeshi Ohshima
