TCAD modeling of ion beam induced charge collection in silicon Schottky barrier devices
TCAD modeling of ion beam induced charge collection in silicon Schottky barrier devices
复制标题
硅肖特基势垒器件中离子束感应电荷收集的 TCAD 建模
DOI：
10.1016/s0168-583x(03)01057-7
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发表时间：
2003
影响因子：
1.3
通讯作者：
A. Dzurak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Hearne;D. Jamieson;C. Yang;A. Dzurak
