Improvement in semipolar {11-22} GaN grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Improvement in semipolar {11-22} GaN grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
复制标题
氢化物气相外延生长半极性{11-22} GaN 的改进
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Tadatomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hashimoto;H. Furuya;M. Ueno;K. Yamane;N. Okada;K. Tadatomo
