自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製

自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
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自组装单层作为栅极绝缘膜的低压驱动MoS2 FET的制作

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
小田 俊理
小田 俊理
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
川那子 高暢;小田 俊理

文献摘要

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