Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells (vol 14, 042302, 2016)
Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells (vol 14, 042302, 2016)
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勘误-激发功率对相分离InGaN量子阱温度依赖性光致发光的影响（第14卷，042302，2016）
DOI：
10.3788/col201614.083501
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发表时间：
2016
影响因子：
3.5
通讯作者：
Ji Ziwu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lu Haiyan;Lu Yuanjie;Wang Qiang;Li Jianfei;Feng Zhihong;Xu Xiangang;Ji Ziwu
