極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャルGaSb薄膜のSi基板上への形成

極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャルGaSb薄膜のSi基板上への形成
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利用超薄硅氧化膜在硅衬底上形成外延GaSb薄膜

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
市川昌和
市川昌和
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
金井龍一;杉本智洋;中村芳明;市川昌和

文献摘要

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