Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Aral, Satoshi Shinada, Munechika Azuchi, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, and Kenichi Iga: "1.12 μm polarization controlled highly strained GalnAs vertical- cavity surface-emitting lasers on GaAs(311)B by me
Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Aral, Satoshi Shinada, Munechika Azuchi, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, and Kenichi Iga: "1.12 μm polarization controlled highly strained GalnAs vertical- cavity surface-emitting lasers on GaAs(311)B by me
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Nobuhiko Nishiyama、Masakazu Aral、Satoshi Shinada、Munechika Azuchi、Akihiro Matsutani、Tomoyuki Miyamoto、Fumio Koyama 和 Kenichi Iga：“我在 GaAs(311)B 上实现了 1.12 μm 偏振控制高应变 GalnAs 垂直腔表面发射激光器
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