Cr2Ge2Te6-based PCRAM showing low resistance amorphous and high resistance cyrtsalline states

Cr2Ge2Te6-based PCRAM showing low resistance amorphous and high resistance cyrtsalline states
复制标题

Cr2Ge2Te6 基 PCRAM 显示出低电阻非晶态和高电阻晶态

DOI:
--
复制
发表时间:
2018
期刊:
IECE Technical Report
影响因子:
--
通讯作者:
J. Koike
J. Koike
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
S. Hatayama;Y. Sutou;D. Ando;J. Koike

文献摘要

相似文献