Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs
Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs
复制标题
Er 插入的肖特基势垒高度调制及其在 SB-M OSFET 中的应用
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and H. Iwai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Noguchi;W. Hosoda;K. Matano;K. Kakushima;P. Ahmet;K. Tsutsu i;N. Sugii;A. N. Chandorkar;T. Hattori;and H. Iwai
