K.Maehashi, S.Hasegawa and H.Nakashima: ""Effects of SiAsBeAs Interface Structure on the Initial Stages of GaAs MBE Growth on Si (111)"" Journal of Crystal Growth. 127. 98-101 (1993)
K.Maehashi, S.Hasegawa and H.Nakashima: ""Effects of SiAsBeAs Interface Structure on the Initial Stages of GaAs MBE Growth on Si (111)"" Journal of Crystal Growth. 127. 98-101 (1993)
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K.Maehashi、S.Hasekawa 和 H.Nakashima：“SiAsBeAs 界面结构对 Si (111) 上 GaAs MBE 生长初始阶段的影响”《晶体生长杂志》。
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