Tight-binding analysis of the electronic states in AlAs with N isoelectronic impurities
Tight-binding analysis of the electronic states in AlAs with N isoelectronic impurities
复制标题
含 N 等电子杂质的 AlAs 中电子态的紧结合分析
DOI：
10.1063/1.4869261
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发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
Kazuaki Sakoda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masafumi Jo;Takaaki Mano;Yoshiki Sakuma;Kazuaki Sakoda
