Origin of RHEED intensity oscillation during homoepitaxial growth on Si(001)
Origin of RHEED intensity oscillation during homoepitaxial growth on Si(001)
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Si(001) 上同质外延生长过程中 RHEED 强度振荡的起源
DOI：
10.1016/j.susc.2014.07.016
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
T. Kawamura and P.A. Maksym
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sato;K.;Fujimoto;K.;Nakata;M. and Shikazono;N;T. Kawamura and P.A. Maksym
