Surface quality and atomic structure of MBE-grown GaAs(100) prepared by the desorption of a protective arsenic layer
Surface quality and atomic structure of MBE-grown GaAs(100) prepared by the desorption of a protective arsenic layer
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通过脱附砷保护层制备的 MBE 生长 GaAs(100) 的表面质量和原子结构
DOI：
10.1016/0039-6028(95)01093-9
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
W. Richter
中科院分区：
文献类型：
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作者：
U. Resch‐Esser;N. Esser;Di Wang;M. Kuball;J. Zegenhagen;B. Fimland;W. Richter
